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H30R1202, IGBT à conduction...
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H30R1202, IGBT à conduction inverse 30A 1200V (IHW30N120R2)

Référence: 59-05198

5,000 TND Prix

Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 41 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.95mm Hauteur 20.95mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier A-247 Type de canal N Type de montage Traversant

IGBT 63A 600V N Chanel...
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IGBT 63A 600V N Chanel G30N60C3D

Référence: 59-02979

19,000 TND Prix

Fabricant: Fairchild Semiconductor Catégorie du produit: Transistors IGBT RoHS: RoHS : conforme Détails Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 600 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.5 V Tension de l'émetteur de porte max.: +/- 20 V Courant collecteur continu de 25 C: 63 A Courant de fuite gâchette-émetteur: +/- 100 nA Dissipation de la puissance: 208 W Température de fonctionnement max.: + 150 C Package/Boîte: TO-247-3 Conditionnement: Tube Marque: Fairchild Semiconductor Courant de collecteur continu Ic max.: 63 A Température de fonctionnement min.: - 40 C Style de montage: Through Hole Série: HGTG30N60 Nombre de pièces de l'usine: 150 Raccourcis pour l'article N°: HGTG30N60C3D_NL