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Oscilloscope USB Hantek 6022BE 20MHz, Sample Rate: 48MSa/s
Référence: 59-04054
20MHz; Sample Rate: 48MSa/s
Référence: 59-07046
Garanties sécurité
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Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V
Id - Courant continu de fuite: 26 A
Rds On - Résistance drain-source: 40 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V
Qg - Charge de grille: 22.7 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 68 W
Mode canal: Enhancement
Marque: Infineon / IR
Configuration: Single
Temps de descente: 40 ns
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 49 ns
Sous-catégorie: MOSFETs
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 31 ns
Délai d'activation standard: 7 ns
Largeur: 4.4 mm
Poids de l''unité: 2 g
Référence: 59-04054
20MHz; Sample Rate: 48MSa/s
Référence: 59-05471
Référence: 59-04032
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
Référence: 59-01159
Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface
Référence: 59-01160
MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm