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BUZ80A, MOSFET, canal N, 800 V, 3.8 A

Référence: 59-07059


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Catégorie du produit: MOSFET

Technologie: Si

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: N-Channel

Nombre de canaux: 1 Channel

Vds - Tension de rupture drain-source: 800 V

Id - Courant continu de fuite: 3.8 A

Rds On - Résistance drain-source: 2.5 Ohms

Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V

Température de fonctionnement min.: - 65 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Pd - Dissipation d’énergie : 100 W

Mode canal: Enhancement

Configuration: Single

Temps de descente: 140 ns

Transconductance directe - min.: 1 S

Hauteur: 9.15 mm

Longueur: 10.4 mm

Type de produit: MOSFET

Temps de montée: 150 ns

Série: BUZ80A

Sous-catégorie: MOSFETs

Type de transistor: 1 N-Channel

Largeur: 4.6 mm

Poids de l''unité: 2 g

59-07059

Références spécifiques

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Features

Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

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