MOSFET COOL MOS N-CHANNEL 560V 11.6A, 12N50C3

Référence: 59-01447

8,000 TND
TTC


Quantité
En stock

 

Garanties sécurité

 

Livraison gratuite à partir de 300dt

 

Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h


59-01447

Fiche technique

Type
N-Channel

Références spécifiques

Produits apparentés

Diode Zener 5.1V 1W, BZX85C5V1
En stock

Diode Zener 5.1V 1W, BZX85C5V1

Référence: 59-00855

0,240 TND Prix

DIODE ZENER VZ 5.1V Tension, Vz: 4.8V Dissipation de puissance Pd: 1W Type de boîtier diode: DO-41 Nombre de broches: 2 Température de fonctionnement max..: 200°C Type de packaging: Unitaire Courant, test: 45mA Dissipation de puissance, max..: 1W MSL: - SVHC: No SVHC (16-Dec-2013) Température de fonctionnement: -65°C à +200°C Température d'utilisation min: -65°C Type de terminaison: Axial Leaded

16 autres produits dans la même catégorie :

MOSFET N-Channel 11A 500V,...
En stock

MOSFET N-Channel 11A 500V, IRF450

Référence: 59-01160

30,000 TND Prix

MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm

MOSFET N-Channel 200V 19A...
En stock

MOSFET N-Channel 200V 19A D2PAK-2, B19NB20

Référence: 59-01448

14,000 TND Prix

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N

W8NB100 MOSFET N-Channel...
En stock

W8NB100 MOSFET N-Channel 1000v 7.3A, W8NB100

Référence: 59-03022

8,500 TND Prix

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100

N-channel 80 V, 3.3 m ohm...
En stock

N-channel 80 V, 3.3 m ohm MOSFET,PSMN3R3-80PS

Référence: 59-04032

12,000 TND Prix

MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques