

Référence: 59-01699
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: Ultra Fast/Damper Diodes RoHS: En transit Produit: Fast Recovery Rectifiers Configuration: Dual Parallel Tension inverse: 400 V Chute de tension directe: 1.5 V Délai de reprise: 100 ns Envoi du courant continu: 60 A Courant de surtension max.: 600 A Courant inversé IR: 60 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: ISOTOP Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Température de fonctionnement max.: + 150 C Température de fonctionnement min.: - 40 C Série: BYT261PIV Nombre de pièces de l'usine: 100
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Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: Ultra Fast/Damper Diodes RoHS: En transit Produit: Fast Recovery Rectifiers Configuration: Dual Parallel Tension inverse: 400 V Chute de tension directe: 1.5 V Délai de reprise: 100 ns Envoi du courant continu: 60 A Courant de surtension max.: 600 A Courant inversé IR: 60 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: ISOTOP Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Température de fonctionnement max.: + 150 C Température de fonctionnement min.: - 40 C Série: BYT261PIV Nombre de pièces de l'usine: 100
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: Ultra Fast/Damper Diodes RoHS: En transit Produit: Fast Recovery Rectifiers Configuration: Dual Parallel Tension inverse: 400 V Chute de tension directe: 1.5 V Délai de reprise: 100 ns Envoi du courant continu: 60 A Courant de surtension max.: 600 A Courant inversé IR: 60 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: ISOTOP Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Température de fonctionnement max.: + 150 C Température de fonctionnement min.: - 40 C Série: BYT261PIV Nombre de pièces de l'usine: 100
Référence: 59-05273
Fabricant: GeneSiC Semiconductor Catégorie du produit: Redresseurs en pont RoHS: RoHS : conforme Détails Tension inverse de pointe: 600 V Tension inverse RMS maximale: 420 V Envoi du courant continu: 4 A Courant de surtension max.: 120 A Chute de tension directe: 1.1 V Courant de fuite inverse max.: 5 uA Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: KBL Conditionnement: Bulk Marque: GeneSiC Semiconductor Température de fonctionnement min.: - 55 C Série: KBL4 Nombre de pièces de l'usine: 500
Référence: 59-00835
Power: 0.1 W Infrared light power: 80 mW/sr above Current: 50 ma Launch Angle: 30 degrees, 45 degrees, 60 degrees Voltage (VF) : 1.1-1.4 V (0.1 V each file) Wave long (WD) : 940 nm Tube (limit parameters (Absolute Maximum Ratings) (Ta = 25) The biggest power: a 70 MW; The biggest positive current: 30 MA; The biggest reverse voltage: 5 V; Maximum pulse current peak: 75 MA; The welding temperature/time: 240 /than 5 S/S; Work environment:-25 ~ + 85 Storage temperature: ~ + 100;
Référence: 59-02987
Avec tube en cuivre Longueur du tube 70 mm Diamètre du tube 6 mm