Transistors
BD681, Transistror Darlington NPN, 4 A, 100 V, 40 W, SOT-32, 3 broches
Référence: 59-07068
BD249C, Transistor bipolaire (BJT), NPN, 100V, 25A, 125W, SOT-93-3
Référence: 59-07064
BD246C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 10A, 80W, SOT-93-3
Référence: 59-07063
BD250C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 25A, 125W, SOT-93-3
Référence: 59-07062
BUZ70, MOSFET, canal N, 60 V, 12 A
Référence: 59-07057
Features
Drain-Source Volt (Vds): 60V
Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
Type: N-Channel
BUZ60, MOSFET, canal N, 400 V, 5.5 A
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
BD676, Transistror Darlington NPN, 4 A, 45 V, 40 W, SOT-32, 3 broches
Référence: 59-07043
MJE13005, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 400 V, 75 W, 4 A
Référence: 59-07040
BC847BPDW1T1G Transistors bipolaires - BJT,100mA 50V Dual Complementary
Référence: 59-05936
DDTC123ECA-7-F, Transistors bipolaires - Prépolarisés PRE-BIAS NPN 200mW, SOT-23-3
Référence: 59-05934
Transistor NPN BC107
Référence: 59-04516
Le BC107 est un petit transistor NPN unique disponible dans un boîtier métallique TO-18. Ces transistors sont très anciens et ont été utilisés dans des conceptions à faible bruit et à faible signal. Aujourd'hui, de nombreux nouveaux transistors sont venus remplacer le BC107, mais le transistor peut toujours être trouvé sur le marché pour son héritage.
BD677, Transistror Darlington NPN, 4 A, 60 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Référence: 59-07042
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power, TIP29A
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
2N2222A, Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
Référence: 59-02968
Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
BD137G, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A
Référence: 59-06168
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE, BD135
Référence: 59-05780
BU626 NPN 10A 400V package TO-3
Référence: 59-03255
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
Transistor bipolaire NPN, 2N3741
Référence: 59-02970
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN