Transistors
DDTC123ECA-7-F, Transistors bipolaires - Prépolarisés PRE-BIAS NPN 200mW, SOT-23-3
Référence: 59-05934
BC847BPDW1T1G Transistors bipolaires - BJT,100mA 50V Dual Complementary
Référence: 59-05936
Régulateurs de tension linéaires 12V 1A Positive, MC7812CTG
Référence: 59-04235
Régulateurs de tension linéaires 12V 1A Positive
2N2222A, Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
Référence: 59-02968
Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power, TIP29A
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
BD137G, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A
Référence: 59-06168
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 250 hFE, BD135
Référence: 59-05780
TIP147 Transistor: PNP, bipolaire, Darlington, 100V, 10A, 125W, TO247
Référence: 59-04716
Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
Transistor bipolaire NPN, 2N3741
Référence: 59-02970
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN
IGBT à conduction inverse 30A 1200V IHW30N120R2
Référence: 59-05198
Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 41 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.95mm Hauteur 20.95mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier A-247 Type de canal N Type de montage Traversant
Transitor NPN de puissance 60V 8A, BD201
Référence: 59-02981
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load
W8NB100 MOSFET N-Channel 1000v 7,3A, W8NB100
Référence: 59-03022
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100
MOSFET N-Channel, unipolar, 200V, 94A, 580W, TO247AC; IRFP90N20DPBF
Référence: 59-05523
MOSFET MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC