Transistors

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2SD1128, Transistor de...
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2SD1128, Transistor de puissance Darlington NPN 150V 5A

Référence: 59-09358

0,000 TND Prix

 Désignation de type : 2SD1128

   Matériau du transistor : Si

   Polarité : NPN

   Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 30 W

   Tension collecteur-base maximale |Vcb| : 150 V

   Tension émetteur-base maximale |Veb| : 6 V

   Courant de collecteur maximal |Ic max| : 5 A

   Température de jonction de fonctionnement maximale (Tj) : 150 °C

   Fréquence de transition (ft) : 11 MHz

   Capacité du collecteur (Cc) : 54 pF

   Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 5 000

   Facteur de bruit, dB : -

   Paquet : TO220

BUZ70, MOSFET, canal N, 60...
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BUZ70, MOSFET, canal N, 60 V, 12 A

Référence: 59-07057

3,300 TND Prix

Features

Drain-Source Volt (Vds): 60V

Drain-Gate Volt (Vdg): 60V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 12A

Power Dissipation (Ptot): 40W

Type: N-Channel

BUZ60, MOSFET, canal N,...
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BUZ60, MOSFET, canal N, 400V, 5.5A

Référence: 59-07056

4,800 TND Prix

Features

Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

2N3906, Transistor...
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2N3906, Transistor bipolaire BJT PNP 40V 200mA

Référence: 59-08787

0,100 TND Prix

Le 2N3906 est un transistor NPN traversant, basse puissance silicium en boîtier TO-92 en métal.

Ce transistor offre une commutation rapide. Il est recommandé pour les commutations et l'amplification.