Référence: 59-09078
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Référence: 59-01160
MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm
Référence: 59-01448
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N
Référence: 59-01525
Conductivité thermique: >1.93W/m-k
Impédance thermique: <0.225°C-in²/W
Norme exécutive: Q/HYTG 001-2017
Référence: 59-06487
| Matériau de la base | FR4 |
| Nombre de face | 1 |
| Dimensions | 200 x 220 x 1.6mm |
| Epaisseur de cuivre | 70µm |
| Qualité du matériau | FR4 |
| Longueur | 200mm |
| Epaisseur | 1.6mm |
| Largeur | 220mm |
Infineon Technologies