Référence: 59-07050
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Catégorie du produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-247-3
Polarité du transistor: P-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 100 V
Id - Courant continu de fuite: 19 A
Rds On - Résistance drain-source: 200 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Pd - Dissipation d’énergie : 150 W
Mode canal: Enhancement
Configuration: Single
Temps de descente: 28 ns
Hauteur: 20.82 mm
Longueur: 15.87 mm
Type de produit: MOSFET
Temps de montée: 65 ns
Série: IRFP9140
Sous-catégorie: MOSFETs
Type de transistor: 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 47 ns
Délai d'activation standard: 16 ns
Largeur: 4.82 mm
Poids de l''unité: 6 g
Référence: 59-01159
Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface
Référence: 59-07057
Features
Drain-Source Volt (Vds): 60V
Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
Type: N-Channel
Référence: 59-05803