IRFBE30, MOSFET canal N, 800 V

Référence: 59-06113

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Type de FET                N-canal

La technologie                 MOSFET (oxyde métallique)

Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C                   4,1 A (Tc)

Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)                 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs                    3 Ohm à 2,5 A, 10 V

Vgs (th) (Max) @ Id                    4V à 250µA

Vgs (max)                            ± 20 V

Dissipation de puissance (max)                   125 W (Tc)

Température de fonctionnement                     -55 ° C à 150 ° C (TJ)

Type de montage                        À travers le trou

Package de l'appareil fournisseur               TO-220AB

Paquet / caisse                  TO-220-3

Tension de vidange à la source (Vdss)             800 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs                 78 nC à 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds               1300 pF à 25 V

Numéro de produit de base             IRFBE30

59-06113

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Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

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