Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
Référence: 59-04032
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques
Garanties sécurité
Livraison gratuite à partir de 300dt
Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h
Caractéristiques et avantages
Rendement élevé grâce à de faibles pertes de commutation et de conduction
Convient pour l'entraînement de porte de niveau standard
Applications
Convertisseurs CC-CC
Commutateur de charge
Contrôle moteur
Alimentations serveur
Min Typ Max Unit
VDS drain-source voltage Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C - - 80 V
ID drain current Tmb = 25 °C; VGS = 10 V; see Figure 1 [1] - - 120 A
Ptot total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2 - - 338 W
Tj junction temperature -55 - 175 °C
Static characteristics
RDSon drain-source on-state
resistance
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 100 °C;
see Figure 12
- 4.6 5.4 mΩ
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;
see Figure 13
[2] - 2.8 3.3 mΩ
Dynamic characteristics
QGD gate-drain charge VGS = 10 V; ID = 75 A; VDS = 40 V;
see Figure 14; see Figure 15
- 27 - nC
QG(tot) total gate charge - 139 - nC
Avalanche ruggedness
EDS(AL)S non-repetitive drain-source
avalanche energy
VGS = 10 V; Tj(init) = 25 °C; ID = 120 A;
Vsup ≤ 80 V; RGS = 50 Ω; unclamped
Référence: 59-05803
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
Référence: 59-07057
Features
Drain-Source Volt (Vds): 60V
Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
Type: N-Channel
Référence: 59-01448
Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N
Référence: 59-01159
Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface