Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, 2N08L07 (IPP80N08S2L-07)

Référence: 59-05803

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Fabricant: Infineon

Catégorie du produit: MOSFET

RoHS:  OUI

Technologie: Si

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: N-Channel

Nombre de canaux: 1 Channel

Vds - Tension de rupture drain-source: 75 V

Id - Courant continu de fuite: 80 A

Rds On - Résistance drain-source: 5.1 mOhms

Vgs - Tension grille-source: 20 V

Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.2 V

Qg - Charge de grille: 233 nC

Température de fonctionnement min.: - 55 C

Température de fonctionnement max.: + 175 C

Pd - Dissipation d’énergie : 300 W

Mode canal: Enhancement

Qualification: AEC-Q101

Nom commercial: OptiMOS

Conditionnement: Tube

Configuration: Single

Hauteur: 15.65 mm

Longueur: 10 mm

Type de transistor: 1 N-Channel

Largeur: 4.4 mm

Marque: Infineon Technologies

Temps de descente: 22 ns

Type de produit: MOSFET

Temps de montée: 55 ns

59-05803

Références spécifiques

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Features

Drain-Source Volt (Vds): 60V

Drain-Gate Volt (Vdg): 60V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 12A

Power Dissipation (Ptot): 40W

Type: N-Channel

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Connecteur: Cosse Faston 4.8mm

Technologie: VRLA AGM

Dimensions: 151*65*100mm

Courant: 1,20Ah

Tension:   12V DC

Poids:  1.9Kg