BUZ30A, MOSFET, canal N, 200 V, 21 A

Référence: 59-07054

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Fabricant: Infineon

Catégorie du produit: MOSFET

RoHS: OUI

Technologie: Si

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-220-3

Polarité du transistor: N-Channel

Nombre de canaux: 1 Channel

Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V

Id - Courant continu de fuite: 21 A

Rds On - Résistance drain-source: 100 mOhms

Vgs - Tension grille-source: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2.1 V

Qg - Charge de grille: -

Température de fonctionnement min.: - 55 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Pd - Dissipation d’énergie : 125 W

Mode canal: Enhancement

Nom commercial: SIPMOS

Conditionnement: Tube

Marque: Infineon Technologies

Configuration: Single

Temps de descente: 90 ns

Transconductance directe - min.: 6 S

Hauteur: 15.65 mm

Longueur: 10 mm

Type de produit: MOSFET

Temps de montée: 70 ns

Série: BUZ30 

Sous-catégorie: MOSFETs

Type de transistor: 1 N-Channel

Délai de désactivation type: 250 ns

Délai d'activation standard: 30 ns

Largeur: 4.4 mm  

Poids de l''unité: 2 g

59-07054

Références spécifiques

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