2SK2995, MOSFET N-Channel 250V 30A

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Type de FET                  Canal N

Technologie                   MOSFET (oxyde métallique)

Tension drain-source (Vdss)                      250 V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C                  30A (Ta)

Tension d'entraînement (Rds max. activé, Rds min. activé)                      10 V

Rds activé (max.) à Id, Vgs                        68 mOhm à 15 A, 10 V

Vgs(th) (Max) à Id                  3,5 V à 1 mA

Charge de porte (Qg) (Max) à Vgs            132 nC à 10 V

Vgs (Max)                   ±20 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) à Vds          5400 pF à 10 V

Fonctionnalité FET          -

Dissipation de puissance (max.)                  90 W (Tc)

Température de fonctionnement                  150 °C (TJ)

59-09094

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