AP2761I, MOSFET N-Channel 650V 10A

Référence: 59-09355

1,501 TND
TTC


Quantité
En stock

 

Garanties sécurité

 

Livraison gratuite à partir de 300dt

 

Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h


59-09355

Références spécifiques

16 autres produits dans la même catégorie :

MOSFET N-Channel 30A 200V,...
En stock

MOSFET N-Channel 30A 200V, IRF250

Référence: 59-01159

16,000 TND Prix

Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface

BUZ70, MOSFET, canal N, 60...
En stock

BUZ70, MOSFET, canal N, 60 V, 12 A

Référence: 59-07057

3,300 TND Prix

Features

Drain-Source Volt (Vds): 60V

Drain-Gate Volt (Vdg): 60V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 12A

Power Dissipation (Ptot): 40W

Type: N-Channel

N-channel 80 V, 3.3 m ohm...
En stock

N-channel 80 V, 3.3 m ohm MOSFET,PSMN3R3-80PS

Référence: 59-04032

12,000 TND Prix

MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques

W8NB100 MOSFET N-Channel...
En stock

W8NB100 MOSFET N-Channel 1000v 7.3A, W8NB100

Référence: 59-03022

8,500 TND Prix

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100

Les clients qui ont acheté ce produit ont également acheté...