IRL2203N HEXFET® Power MOSFET

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-Transistor IRL2203N N-MOS 30V 116A/400Ap. 180W 0.07R(60A). V-MOS.Log.L. MOS-N-FET.
-Constructeur: IR. Logic Level.
-Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 116 A.
-Courant de Drain maxi (@100°C): 60 A. Rds (Ohms): 0.07.
-Produit garanti d'origine contructeur International Rectifier.

59-04841

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Features

Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

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