Référence: 59-06114
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Fabricant: Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS: Oui
Technologie: Si
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 55 V
Id - Courant continu de fuite: 77 A
Rds On - Résistance drain-source: 10 mOhms
Vgs - Tension grille-source: - 16 V, + 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1.8 V
Qg - Charge de grille: 65.3 nC
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 175 C
Pd - Dissipation d’énergie : 130 W
Mode canal: Enhancement
Conditionnement: Tube
Configuration: Single
Hauteur: 15.65 mm
Longueur: 10 mm
Type de transistor: 1 N-Channel
Largeur: 4.4 mm
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFET
Sous-catégorie: MOSFETs
Poids de l''unité: 6 g
Référence: 59-03535
Diodes
- Usage général, alimentation,
commutation 85V 150mW
Référence: 59-04182
Le porte-fusible se trouve au sein du tableau électrique où il joue un rôle protecteur. À ce titre, son utilité est identique à celle d’un disjoncteur divisionnaire.
Référence: 59-05314
Thermisteur PTC céramique
Umax: 30V
Ide com: 1,7A
-40÷125°C
Référence: 59-05934