2SK215, MOSFET N-Channel 180V 500mA
Référence: 59-09093
6,500 TND
TTC
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59-09093
Références spécifiques
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Features
Drain-Source Volt (Vds): 60V
Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
Type: N-Channel
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Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Tension drain-source de rupture: 1 kV Tension gâchette-cathode de rupture: +/- 30 V Courant débité continu: 7.3 A Rds passant: 1.3 Ohms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-247 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Temps de descente: 32 ns Température de fonctionnement min.: - 65 C Dissipation de la puissance: 190 W Temps de montée: 13 ns Série: STW8NB100
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Impédance thermique: <0.225°C-in²/W
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| Matériau de la base | FR4 |
| Nombre de face | 1 |
| Dimensions | 200 x 220 x 1.6mm |
| Epaisseur de cuivre | 70µm |
| Qualité du matériau | FR4 |
| Longueur | 200mm |
| Epaisseur | 1.6mm |
| Largeur | 220mm |
