D45H11 10 AMP COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80 VOLTS

Référence: 59-04842

2,900 TND
TTC
Quantité
En stock

 

Garanties sécurité

 

Livraison gratuite à partir de 300dt

 

Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h

Caractéristiques techniques

Type de transistor:

Courant continu de Collecteur maximum:10 A

Tension Collecteur Emetteur maximum:80 V

Type de boîtier:A-220

Type de montage:Traversant

Dissipation de puissance maximum:60 W

Configuration du transistor:Simple

Fréquence de fonctionnement maximum:40 MHz

Nombre de broches:3

Nombre d'éléments par circuit:1

Dimensions:10.67 x 4.83 x 16.51mm

Température d'utilisation maximum:+150 °C

59-04842

Références spécifiques

Produits apparentés

Cable rj11 3M 2 fils
En stock

Cable rj11 3M 2 fils

Référence: 59-03291

0,900 TND Prix

1) RJ11 à RJ11, 2 noyaux

2) facile à connecter et à enlever

3) À utiliser avec des téléphones, des télécopieurs, des modems, des répondeurs, etc.

4) longueur: 3m


KB814 Optocoupleur, Sortie...
En stock

KB814 Optocoupleur, Sortie transistor, 1 voie, DIP, 4 Broche(s), 50 mA, 5 kV, 20 % KB814

Référence: 59-03841

1,750 TND Prix

Le KB817 est un photocoupleur de type transistor unique à haute tension d'isolement pour un usage général. Il s'agit d'un isolateur à couplage optique contenant une diode électroluminescente GaAS et un phototransistor au silicium NPN. L'épaisseur de l'isolant solide entre la diode émettrice et le phototransistor de sortie est de >0,6mm.

16 autres produits dans la même catégorie :

MOSFET N-Channel 30A 200V,...
En stock

MOSFET N-Channel 30A 200V, IRF250

Référence: 59-01159

16,000 TND Prix

Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface

BUZ60, MOSFET, canal N,...
En stock

BUZ60, MOSFET, canal N, 400V, 5.5A

Référence: 59-07056

4,800 TND Prix

Features

Drain-Source Volt (Vds): 400V

Drain-Gate Volt (Vdg): 400V

Gate-Source Volt (Vgs): 20V

Drain Current (Id): 5.5A

Power Dissipation (Ptot): 75W

Type: N-Channel

MOSFET N-Channel 11A 500V,...
En stock

MOSFET N-Channel 11A 500V, IRF450

Référence: 59-01160

30,000 TND Prix

MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm

Les clients qui ont acheté ce produit ont également acheté...