BD242C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100 V, 40 W, 3 A

Référence: 59-07067

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Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT	RoHS:	OUI	Style de montage:	Through Hole	Package/Boîte:	TO-220-3	Polarité du transistor:	PNP	Configuration:	Single	Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	100 V	Collecteur - Tension de base VCBO:	115 V	Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V	Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.2 V	Courant CC max. du collecteur:	3 A	Pd - Dissipation d’énergie :	40 W	Produit gain-bande passante fT :	3 MHz	Température de fonctionnement min.:	- 65 C	Température de fonctionnement max.:	+ 150 	Courant de collecteur continu :	3 A	Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	25	Hauteur:	9.28 mm	Longueur:	10.28 mm	Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors	Sous-catégorie:	Transistors	Technologie:	Si	Largeur:	4.82 mm	Poids de l''unité:	6 g
59-07067

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