2SD1396, Transistor NPN à triple diffusion planaire 150 V 2.5A

Désignation de type : 2SD1396

   Matériau du transistor : Si

   Polarité : NPN

   Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 80 W

   Tension collecteur-base maximale |Vcb| : 1 500 V

   Tension collecteur-émetteur maximale |Vce| : 800 V

   Tension émetteur-base maximale |Veb| : 7 V

   Courant de collecteur maximal |Ic max| : 2,5 A

   Température de jonction de fonctionnement maximale (Tj) : 150 °C

   Fréquence de transition (ft) : 3 MHz

   Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 8

   Facteur de bruit, dB : -

   Paquet : TO247