2N5303, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 80 V, 20 A, 200 W, TO-3, Traversant
Référence: 59-02967
Référence: 59-02974
Garanties sécurité
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Style de montage : Trou traversant
Paquet/Caisse : TO-92-3
Polarité du transistor : PNP
Courant maximal du collecteur CC : 100 mA
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 65 V
Tension collecteur-base VCBO : 80 V
Tension émetteur-base VEBO : 5 V
Pd - Dissipation de puissance : 500 mW
Produit de gain de bande passante fT : 100 MHz
Température minimale de fonctionnement : - 65 °C
Température de fonctionnement maximale : + 150 °C
Référence: 59-02967
Référence: 59-09354
Référence: 59-02980
Référence: 59-09163
Le BU406 est un transistor de puissance NPN pour les étages de sortie à déviation horizontale des circuits TV et CTV.
Haute tension
Tension de maintien collecteur-émetteur (Vceo (sus) = 400V minimum)
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
Référence: 59-02968
Référence: 59-09158
Le BUX84 est un transistor de puissance NPN de 400V conçu pour être utilisé dans les régulateurs, les convertisseurs, les onduleurs et les systèmes de commande de moteurs haute tension et haute vitesse.
Tension de maintien collecteur-émetteur (Vceo (sus) = 400V minimum)
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce (sat) = 1V maximum à Ic = 1A)
Référence: 59-08788