Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power, TIP29A

Référence: 59-05425

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Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power

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Catégorie du produit:                                           Transistors bipolaires - BJT

RoHS:                                                                  OUI

Style de montage:                                                Through Hole

Package/Boîte:                                                     TO-220-3

Polarité du transistor:                                            NPN

Configuration:                                                        Single

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:    60 V

Collecteur - Tension de base VCBO:                     60 V

Émetteur - Tension de base VEBO:                       5 V

Tension de saturation collecteur-émetteur :           0.7 V

Courant CC max. du collecteur:                             1 A

Pd - Dissipation d’énergie :                                    30 W

Température de fonctionnement min.:                   - 65 C

Température de fonctionnement max.:                  + 150 C

Gain de courant CC hFE max.:                              75 

Hauteur:                                                                 9.15 mm 

Longueur:                                                               10.4 mm 

Technologie:                                                           Si 

Largeur:                                                                  4.6 mm 

Marque:                                                                  STMicroelectronics 

Courant de collecteur continu :                               1 A 

Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:15 

Type de produit:                                                      BJTs - Bipolar Transistors 

Sous-catégorie:                                                       Transistors 

Poids de l''unité:                                                      6 g

59-05425

Fiche technique

Package/Boitier
TO-220-3

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