Catégorie de produit: Transistors bipolaires - BJT

Technologie: Si

Polarité du transistor : PNP  

Courant maximal du collecteur CC : 50 mA

Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 300 V

Tension collecteur-base VCBO : 300 V

Tension émetteur-base VEBO : 5 V

Pd - Dissipation de puissance : 830 mW

Produit de gain de bande passante fT : 60 MHz

Température minimale de fonctionnement : - 65 °C

Température de fonctionnement maximale : + 150 °C  

Gain de collecteur/base CC hFE Min : 50 à 25 mA, 20 V