Référence: 59-09159
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-92-3
Polarité du transistor: NPN
Courant CC max. du collecteur: 500 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 250 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 250 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
Pd - Dissipation d’énergie : 830 mW
Produit gain-bande passante fT : 60 MHz
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Courant de collecteur continu : 50 mA
Référence: 59-02968
Référence: 59-02970
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN
Référence: 59-01486
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power