Transistors bipolaires - BJT NPN Fast SW SS, 2N2369A

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Fabricant: Central Semiconductor Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT RoHS: RoHS : conforme Détails Configuration: Single Polarité du transistor: NPN Collecteur - Tension de base VCBO: 40 V Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 15 V Émetteur - Tension de base VEBO: 4.5 V Courant CC max. du collecteur: 0.2 A Produit gain-bande passante fT : 500 MHz Température de fonctionnement max.: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-39 Marque: Central Semiconductor Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40 Gain de courant CC hFE max.: 120 Dissipation de puissance max.: 360 mW Température de fonctionnement min.: - 65 C Conditionnement: Bulk Catégorie du produit: Small Signal Transistors Série: 2N2369A

59-02976

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Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN

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