Référence: 59-08730
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-220-3
Polarité du transistor: NPN
Courant CC max. du collecteur: 5 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 450 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 1 kV
Émetteur - Tension de base VEBO: 9 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 920 mV
Pd - Dissipation d’énergie : 75 W
Produit gain-bande passante fT : 13 MHz
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Référence: 59-04861
Vis metaux tete fraisee TF M4X16 TORX T20 Inox A2
Référence: 59-08272
Diamètre intérieur : 17 mm
Diamètre extérieur : 26 mm
Epaisseur : 5 mm
Etanche à la poussière
Jeu standard
Référence: 59-09358
Désignation de type : 2SD1128
Matériau du transistor : Si
Polarité : NPN
Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 30 W
Tension collecteur-base maximale |Vcb| : 150 V
Tension émetteur-base maximale |Veb| : 6 V
Courant de collecteur maximal |Ic max| : 5 A
Température de jonction de fonctionnement maximale (Tj) : 150 °C
Fréquence de transition (ft) : 11 MHz
Capacité du collecteur (Cc) : 54 pF
Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 5 000
Facteur de bruit, dB : -
Paquet : TO220
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
STMicroelectronics