IXFH30N60P, MOSFET N-Channel 600V 30A

Catégorie de produit : MOSFET  

Technologie: Si

Style de montage : Trou traversant

Emballage/Caisse : TO-247-3

Polarité du transistor : canal N

Nombre de canaux : 1 canal

Vds - Tension de claquage drain-source : 600 V

Id - Courant de drain continu : 30 A

Rds On - Résistance Drain-Source : 240 mOhms

Vgs - Tension grille-source : - 30 V, + 30 V

Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2,5 V

Qg - Frais de porte : 82 nC

Température minimale de fonctionnement : - 55 °C

Température de fonctionnement maximale : + 150 °C

Pd - Dissipation de puissance : 500 W

Mode canal : Renforcement

Temps d'automne : 25 ns

Transconductance directe - Min : 27 S

Hauteur: 21,46 mm

Longueur: 16,26 mm

Type de produit : MOSFET

Temps de montée : 20 ns  

Type de transistor : 1 canal N

Délai d'arrêt typique : 80 ns

Délai de mise en marche typique : 29 ns

Largeur: 5,3 mm

Poids unitaire : 6 g