Référence: 59-08823
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Référence: 59-03255
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
Référence: 59-09358
Désignation de type : 2SD1128
Matériau du transistor : Si
Polarité : NPN
Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 30 W
Tension collecteur-base maximale |Vcb| : 150 V
Tension émetteur-base maximale |Veb| : 6 V
Courant de collecteur maximal |Ic max| : 5 A
Température de jonction de fonctionnement maximale (Tj) : 150 °C
Fréquence de transition (ft) : 11 MHz
Capacité du collecteur (Cc) : 54 pF
Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 5 000
Facteur de bruit, dB : -
Paquet : TO220
Référence: 59-01486
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
Référence: 59-09163
Le BU406 est un transistor de puissance NPN pour les étages de sortie à déviation horizontale des circuits TV et CTV.
Haute tension
Tension de maintien collecteur-émetteur (Vceo (sus) = 400V minimum)
Fairchild Semiconductor