Référence: 59-09363
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Type Designator: 2SD1707
Material of Transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 100 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 130 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 80 V
Maximum Collector Current |Ic max|: 20 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 40
Noise Figure, dB: -
Package: TO126
Référence: 59-07043
Référence: 59-05934
Référence: 59-05425
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power