2N5401, Transistor bipolaire BJT PNP 150V 0.6A 625mW

Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT  

Technologie: Si

Style de montage: Traversant

Package/Boîte: TO-92-3

Polarité du transistor: PNP  

Courant CC max. du collecteur: 600 mA

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 150 V

Collecteur - Tension de base VCBO: 160 V

Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV

Pd - Dissipation d’énergie : 625 mW

Produit gain-bande passante fT : 300 MHz

Température de fonctionnement min.: - 65 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Série: 2N5401

Courant de collecteur continu : 600 mA

Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 50

Hauteur: 5.33 mm

Longueur: 5.2 mm

Largeur: 4.19 mm