Référence: 59-08812
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-92-3
Polarité du transistor: NPN
Courant CC max. du collecteur: 50 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 15 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 30 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Pd - Dissipation d’énergie : 400 mW
Produit gain-bande passante fT : 1.1 GHz
Température de fonctionnement min.: - 55 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Référence: 59-02967
Référence: 59-07064
Référence: 59-05936