Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT Polarité du transistor: PNP Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 100 V Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V Courant CC max. du collecteur: 10 A Pd - Dissipation d’énergie : 80000 mW Température de fonctionnement min.: - 65 C Température de fonctionnement max.: + 150 C Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40 at 1 A, 4 V Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors Sous-catégorie: Transistors Technologie: Si