Référence: 59-08736
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Technologie: Si
Style de montage: TRAVERSANT
Package/Boîte: TO-264-3
Polarité du transistor: PNP
Configuration: Single
Courant CC max. du collecteur: 16 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 250 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 400 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.4 V
Pd - Dissipation d’énergie : 200 W
Produit gain-bande passante fT : 4 MHz
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Référence: 59-09354
Référence: 59-01486
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A