BD137G, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 60V, 12.5W, 1.5A

Référence: 59-06168

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Fabricant: ON Semiconductor

Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT

RoHS:  Oui

Style de montage: SMD/SMT

Package/Boîte: TO-225-3

Polarité du transistor: NPN

Configuration: Single

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 60 V

Collecteur - Tension de base VCBO: 60 V

Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 0.5 V

Courant CC max. du collecteur: 1.5 A

Pd - Dissipation d’énergie : 1.25 W

Température de fonctionnement min.: - 55 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Série: BD137

Conditionnement: Bulk

Hauteur: 11.04 mm

Longueur: 7.74 mm

Technologie: Si

Largeur: 2.66 mm

Marque: ON Semiconductor

Courant de collecteur continu : 1.5 A

Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 25

Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors

59-06168

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Linéarité garantie 0,01 % maximum

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Faible dissipation de puissance