Semi-conducteurs

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Matrice de diodes...
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Matrice de diodes bidirectionel TVS,ITA6V5B3 ,ITA25B3

Référence: 59-01278

9,400 TND Prix

Bidirectional Transil™, transient voltage surge suppressor (TVS) array for data line protection Applications Differential data transmission lines protection, such as: ■ RS-232 ■ RS-423 ■ RS-422 ■ RS-485

LT1228
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LT1228

Référence: 59-03900

9,800 TND Prix

Facile à contrôler électroniquement le gain des signaux

Gain proportionnel au courant de contrôle externe

Amplificateur à Transconductance Très Rapide

Amplificateur à rétroaction de courant très rapide


Microcontrôleur...
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Microcontrôleur STM32G071CBT6TR

Référence: 59-08481

10,000 TND Prix

Microcontrôleur Arm Cortex-M0+ grand public avec 128 Ko de mémoire Flash, 36 Ko de RAM, processeur 64 MHz, 4x USART, minuteries, ADC, DAC, comm. I/F, 1,7-3,6 V

STRG6653, Régulateur de...
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STRG6653, Régulateur de tension à découpage

Référence: 59-09189

11,000 TND Prix

RÉGULATEUR À DÉCOUPERATION QUASI-RÉSONANT À RETOUR HORS LIGNE

Le STR-G6653 est spécialement conçu pour répondre aux exigences d'intégration et de fiabilité accrues des convertisseurs flyback quasi-résonants hors ligne.

Ce dispositif intègre le circuit de commande et de pilotage primaire avec un MOSFET de puissance discret à avalanche.

le STR-G6653 est une solution robuste et à faible risque pour les alimentations hors ligne, en particulier lorsque la gestion des interférences électromagnétiques à la source est un élément important de la conception du système.

DIODE LASER avec connecteur...
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DIODE LASER avec connecteur jack

Référence: 59-03678

11,500 TND Prix

ransmettre du son avec un faisceau laser nécessite peu de moyens matériels et financiers. Un laser grand public (pointeur premier prix), une petite cellule solaire (récupérée sur une calculatrice ou sur une lampe LED de jardin) et quelques autres composants "facultatifs" suffisent.

N-channel 80 V, 3.3 m ohm...
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N-channel 80 V, 3.3 m ohm MOSFET,PSMN3R3-80PS

Référence: 59-04032

12,000 TND Prix

MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques

Ethernet ICs 8 KB RAM...
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Ethernet ICs 8 KB RAM MAC&PHY Ethernet Controller, ENC28J60-I/SS

Référence: 59-00942

12,000 TND Prix

Manufacturer: Microchip Product Category: Ethernet ICs RoHS: RoHS Compliant Details Brand: Microchip Technology Product: Ethernet Controllers Supply Voltage - Max: 3.6 V Supply Voltage - Min: 3.1 V Maximum Operating Temperature: + 85 C Package / Case: SSOP-28 Packaging: Tube Ethernet Connection Type: 10/100/1000Base-T Interface: SPI Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT

HFA08TB60 Diode Redresseurs...
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HFA08TB60 Diode Redresseurs 600 Volt 8.0 Amp, HFA08TB60

Référence: 59-01110

12,600 TND Prix

Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Redresseurs RoHS: RoHS : conforme Détails Produit: Ultra Fast Recovery Rectifiers Configuration: Single Tension inverse: 600 V Chute de tension directe: 2.1 V at 16 A Délai de reprise: 55 ns Envoi du courant continu: 8 A Courant de surtension max.: 60 A Courant inversé IR: 5 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-2 Conditionnement: Tube Marque: Vishay Semiconductors Température de fonctionnement max.: + 150 C Température de fonctionnement min.: - 55 C Catégorie du produit: HEXFRED Diodes

MOSFET N-Channel 200V 19A...
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MOSFET N-Channel 200V 19A D2PAK-2, B19NB20

Référence: 59-01448

14,000 TND Prix

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N

NPN Power Transistors, 2N5239
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NPN Power Transistors, 2N5239

Référence: 59-01486

15,000 TND Prix

Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A

MOSFET N-Channel 30A 200V,...
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MOSFET N-Channel 30A 200V, IRF250

Référence: 59-01159

16,000 TND Prix

Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface

STRX6757, Régulateur de...
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STRX6757, Régulateur de commutation IC

Référence: 59-08831

16,000 TND Prix

Les produits de la série STR-X6700 sont des circuits intégrés de puissance pour les alimentations à découpage de type quasi-résonnant, intégrant un MOSFET de puissance et un circuit intégré de contrôleur. Le produit permet d'obtenir des systèmes d'alimentation à haut rendement et à faible bruit grâce au fonctionnement quasi-résonnant et au fonctionnement quasi-résonnant à saut de fond.