Semi-conducteurs
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DDTC123ECA-7-F, Transistors bipolaires - Prépolarisés PRE-BIAS NPN 200mW, SOT-23-3
Référence: 59-05934
0,200 TND
Prix
Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
3,400 TND
Prix
H30R1202, IGBT à conduction inverse 30A 1200V (IHW30N120R2)
Référence: 59-05198
5,000 TND
Prix
Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 41 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.95mm Hauteur 20.95mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier A-247 Type de canal N Type de montage Traversant
IRS2112PBF - Driver de MOSFET et IGBT, High Side Low Side, Alimentation 10V-20V, Sortie 600 mA, PDIP-14
Référence: 59-05304
8,000 TND
Prix
60APU04, Redresseur à récupération ultra rapide à diode 400V 60A 3 broches TO-247AC
Référence: 59-06101
15,000 TND
Prix
SKR 45/04 Diode redresseur 400V 1.55V 50A, E12 , cathode sur Vis M8
Référence: 59-06254
39,000 TND
Prix
SKR 70/04 Diode redresseur 400V 1.5V 94A, E12 , cathode sur Vis M8
Référence: 59-07591
45,000 TND
Prix
OP400FY, Amplificateur opérationnel , Quad, 4 amplificateurs, 500 kHz, 0.15 V / µs, ± 3V à ± 18V, DIP, 14 broches
Référence: 59-06467
65,000 TND
Prix
SKR 100/04 Diode redresseur 400V 1.55V 100A catode sur une vis M12
Référence: 59-05853
94,999 TND
Prix
Convertisseurs numérique-analogique - CNA IC - 12 BIT D/A CONVERTER, AD667JNZ
Référence: 59-05796
169,000 TND
Prix