Semi-conducteurs
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Low Power Dual Amplifier, LM358P
Référence: 59-05194
0,750 TND
Prix
Low Power Dual Amplifier, LM358P
LM358N CH Low Power Dual Amplifier
Référence: 59-01265
0,450 TND
Prix
Low Power Dual Amplifier, LM358P
Low Power Dual Amplifier, LM358AN
Référence: 59-05706
3,200 TND
Prix
Amplificateur opérationnel Précision, alim. Simple, Double, 3 → 32 V, montage Traversant, PDIP 8 broches
Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
3,400 TND
Prix
LM1117MPX-3.3/NOPB Regulateurs de tension 3.3V LDO 800MA (Originale)
Référence: 59-01251
7,000 TND
Prix
H30R1202, IGBT à conduction inverse 30A 1200V (IHW30N120R2)
Référence: 59-05198
5,000 TND
Prix
Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 41 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.95mm Hauteur 20.95mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier A-247 Type de canal N Type de montage Traversant
IRS2112PBF - Driver de MOSFET et IGBT, High Side Low Side, Alimentation 10V-20V, Sortie 600 mA, PDIP-14
Référence: 59-05304
8,000 TND
Prix
60APU04, Redresseur à récupération ultra rapide à diode 400V 60A 3 broches TO-247AC
Référence: 59-06101
15,000 TND
Prix
