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Transistor N-MOSFET unipolaire 75V 80A 300W PG-TO220-3 OptiMOS, IPP80N08S2L-07
Référence: 59-05803
3,400 TND
Prix
H30R1202, IGBT à conduction inverse 30A 1200V (IHW30N120R2)
Référence: 59-05198
5,000 TND
Prix
Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 41 A Dimensions 15.9 x 5.3 x 20.95mm Hauteur 20.95mm Largeur 5.3mm Longueur 15.9mm Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +150 °C Température de fonctionnement minimum -55 °C Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V Tension Grille Emetteur maximum ±20V Type de boîtier A-247 Type de canal N Type de montage Traversant
IRS2112PBF - Driver de MOSFET et IGBT, High Side Low Side, Alimentation 10V-20V, Sortie 600 mA, PDIP-14
Référence: 59-05304
8,000 TND
Prix
60APU04, Redresseur à récupération ultra rapide à diode 400V 60A 3 broches TO-247AC
Référence: 59-06101
15,000 TND
Prix
Resistance bobinée vitrifiée SETA 330Ohm 5%, 16W, 46 x 9.5mm, RWS845 330
Référence: 59-06023
15,000 TND
Prix
Conforme à la spécification CCTU 04-02C pour les références RB59-RB61-RB57-RB60-RB58. Les principales caractéristiques de la série RWS (dissipation élevée, endurance et robustesse mécanique) et l’emploi d’un émail vitrifié à température élevée assurent des performances répondant aux exigences des utilisateurs de l’Electricité et de l’Electronique.
