Semi-conducteurs

Semi-conducteurs

Il y a 534 produits.

Trier par :
Ventes, ordre décroissant Pertinence Nom, A à Z Nom, Z à A Prix, croissant Prix, décroissant
Affichage 76-150 de 534 article(s)

Filtres actifs

Diode Zener 5.1V 1W, BZX85C5V1
En stock

Diode Zener 5.1V 1W, BZX85C5V1

Référence: 59-00855

0,240 TND Prix

DIODE ZENER VZ 5.1V Tension, Vz: 4.8V Dissipation de puissance Pd: 1W Type de boîtier diode: DO-41 Nombre de broches: 2 Température de fonctionnement max..: 200°C Type de packaging: Unitaire Courant, test: 45mA Dissipation de puissance, max..: 1W MSL: - SVHC: No SVHC (16-Dec-2013) Température de fonctionnement: -65°C à +200°C Température d'utilisation min: -65°C Type de terminaison: Axial Leaded

Diodes Zener 5.6 Volt 0.5W...
En stock

Diodes Zener 5.6 Volt 0.5W 5%, BZX55C5V6-TAP

Référence: 59-05296

0,150 TND Prix

Diodes Zener 500 mW, série BZX55C, Vishay Semiconductor

Diodes Zener à petit signal
Propriétés inverses très pointues
Faible niveau de courant inverse
Stabilité très élevée
Niveau sonore faible.
Certifié AEC-Q101

Diode Zener 8.2V 1 W, 1N4738A
En stock

Diode Zener 8.2V 1 W, 1N4738A

Référence: 59-00858

0,200 TND Prix

Fabricant: Fairchild Semiconductor Catégorie du produit: Diodes Zener RoHS: RoHS : conforme Détails Tension de Zener: 8.2 V Tolérance de la tension: 5 % Courant de Zener: 31 mA Dissipation de la puissance: 1 W Courant de fuite inverse max.: 10 uA Impédance Zener max.: 4.5 Ohms Température de fonctionnement max.: + 200 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-41 Conditionnement: Bulk Marque: Fairchild Semiconductor Configuration: Single Température de fonctionnement min.: - 65 C Série: 1N4738A

Transistor NPN BC107
En stock

Transistor NPN BC107

Référence: 59-04516

0,250 TND Prix

Le BC107 est un petit transistor NPN unique disponible dans un boîtier métallique TO-18. Ces transistors sont très anciens et ont été utilisés dans des conceptions à faible bruit et à faible signal. Aujourd'hui, de nombreux nouveaux transistors sont venus remplacer le BC107, mais le transistor peut toujours être trouvé sur le marché pour son héritage.

HEF4052BP Multiplexeur DL...
En stock

HEF4052BP Multiplexeur DL 4CH ANLG MUX/DMUX, HEF4052BP

Référence: 59-01108

0,400 TND Prix

Fabricant: NXP Catégorie du produit: CI commutateur multiplexeur RoHS: RoHS : conforme Détails Nombre de canaux: 2 Channel Nombre d'interrupteurs: 2 Résistance à l'état passant maximale: 2500 Ohms Durée de l'état passant maximale: 260 ns Durée de l'état bloqué maximale: 205 ns Délai de propagation: 305 ns at 5 V, 150 ns at 10 V, 100 ns at 15 V Tension d'alimentation de fonctionnement: 4.5 V to 15.5 V Température de fonctionnement max.: + 125 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: PDIP-16 Marque: NXP Semiconductors Dissipation de puissance max.: 750 mW Température de fonctionnement min.: - 40 C Conditionnement: Tube Catégorie du produit: Logic - Multiplexers, Decoders, Encoders

Diode Redresseur 1 Amp 600...
En stock

Diode Redresseur 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM BYV26C-TAP

Référence: 59-00831

0,400 TND Prix

Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Redresseurs RoHS: Conforme à RoHS par dispense Détails Produit: Ultra Fast Recovery Rectifiers Configuration: Single Tension inverse: 600 V Chute de tension directe: 2.5 V Délai de reprise: 30 ns Envoi du courant continu: 1 A Courant de surtension max.: 30 A Courant inversé IR: 5 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: SOD-57 Conditionnement: Reel Marque: Vishay Semiconductors Température de fonctionnement max.: + 175 C Température de fonctionnement min.: - 55 C Catégorie du produit: Ultra Fast Recovery Rectifiers Série: BYV26x

Diode Redresseurs 1N5615GI,...
En stock

Diode Redresseurs 1N5615GI, 1N5615GI

Référence: 59-00842

0,500 TND Prix

Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Redresseurs RoHS: Conforme à RoHS par dispense Détails Produit: Fast Recovery Rectifiers Configuration: Single Tension inverse: 200 V Chute de tension directe: 1.2 V Délai de reprise: 150 ns Envoi du courant continu: 1 A Courant de surtension max.: 50 A Courant inversé IR: 0.5 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-15 Conditionnement: Reel Marque: Vishay Semiconductors Température de fonctionnement max.: + 175 C Température de fonctionnement min.: - 65 C Catégorie du produit: Fast Recovery Rectifiers

Diode emettrice infrarouge...
En stock

Diode emettrice infrarouge 5mm 940Nm

Référence: 59-00835

0,500 TND Prix

Power: 0.1 W Infrared light power: 80 mW/sr above Current: 50 ma Launch Angle: 30 degrees, 45 degrees, 60 degrees Voltage (VF) : 1.1-1.4 V (0.1 V each file) Wave long (WD) : 940 nm Tube (limit parameters (Absolute Maximum Ratings) (Ta = 25) The biggest power: a 70 MW; The biggest positive current: 30 MA; The biggest reverse voltage: 5 V; Maximum pulse current peak: 75 MA; The welding temperature/time: 240 /than 5 S/S; Work environment:-25 ~ + 85 Storage temperature: ~ + 100;

Diodes et redresseurs...
En stock

Diodes et redresseurs Schottky Vr/40V Io/3A T/R, 1N5822RL

Référence: 59-05298

0,600 TND Prix

Produit: Schottky Rectifiers Tension inverse de pointe: 40 V Envoi du courant continu: 3 A Courant de surtension max.: 80 A Configuration: Single Chute de tension directe: 0.525 V Courant de fuite inverse max.: 2000 uA Plage de températures de fonctionnement: + 150 C Style de montage: Through Hole Package/Boîte: DO-201AD Conditionnement: Ammo Pack Marque: STMicroelectronics Catégorie du produit: Power Schottky Rectifiers Série: 1N5822

BPW42 photo transistor 3mm
En stock

BPW42 photo transistor 3mm

Référence: 59-03244

0,600 TND Prix

Caractéristiques:

● boîtier plastique Ø 3 mm

● Convient au rayonnement visible et proche infrarouge

● Haute sensibilité

● Grand angle de demi-sensibilité

● Bornes axiales

Diode 1.5KE39CA, 1.5KE39CA
En stock

Diode 1.5KE39CA, 1.5KE39CA

Référence: 59-00825

0,600 TND Prix

PEAK PULSE POWER : 1500 W (10/1000ms) BREAKDOWN VOLTAGE RANGE : From 6.8V to 440 V UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES LOW CLAMPING FACTOR FAST RESPONSE TIME UL RECOGNIZED DESCRIPTION Transil diodes provide high overvoltage protection by clamping action. Their instantaneous response to transient overvoltages makes them particularly suited to protect voltage sensitive devices such as MOS Technology and low voltage supplied IC’s.