Semi-conducteurs
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BD681, Transistror Darlington NPN, 4 A, 100 V, 40 W, SOT-32, 3 broches
Référence: 59-07068
2,000 TND
Prix
BD249C, Transistor bipolaire (BJT), NPN, 100V, 25A, 125W, SOT-93-3
Référence: 59-07064
8,000 TND
Prix
BD246C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 10A, 80W, SOT-93-3
Référence: 59-07063
6,200 TND
Prix
BD250C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 25A, 125W, SOT-93-3
Référence: 59-07062
5,800 TND
Prix
BD676, Transistror Darlington NPN, 4 A, 45 V, 40 W, SOT-32, 3 broches
Référence: 59-07043
1,220 TND
Prix
MJE13005, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 400 V, 75 W, 4 A
Référence: 59-07040
2,200 TND
Prix
BC847BPDW1T1G Transistors bipolaires - BJT,100mA 50V Dual Complementary
Référence: 59-05936
0,200 TND
Prix
DDTC123ECA-7-F, Transistors bipolaires - Prépolarisés PRE-BIAS NPN 200mW, SOT-23-3
Référence: 59-05934
0,200 TND
Prix
Transistor NPN BC107
Référence: 59-04516
0,250 TND
Prix
Le BC107 est un petit transistor NPN unique disponible dans un boîtier métallique TO-18. Ces transistors sont très anciens et ont été utilisés dans des conceptions à faible bruit et à faible signal. Aujourd'hui, de nombreux nouveaux transistors sont venus remplacer le BC107, mais le transistor peut toujours être trouvé sur le marché pour son héritage.
BD677, Transistror Darlington NPN, 4 A, 60 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Référence: 59-07042
0,650 TND
Prix
ULN2004A-CH Réseau de transistors Darlington
Référence: 59-01819
0,850 TND
Prix
Réseau de transistors Darlington, DIP16
ULN2004ADR Réseau de transistors Darlington CMS SOP-16
Référence: 59-06424
0,990 TND
Prix
Réseau de transistors Darlington, DIP16
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power, TIP29A
Référence: 59-05425
1,299 TND
Prix
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
ULN2803APG CH Réseau de transistors bipolaires, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, DIP
Référence: 59-06395
1,349 TND
Prix
Réseau de transistors Darlington, DIP18
ULN2803ADR Réseau de transistors bipolaires, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, CMS SOP18
Référence: 59-06425
1,701 TND
Prix
Réseau de transistors Darlington, DIP18
BD136, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1 A, 40 hFE
Référence: 59-07041
2,200 TND
Prix
Le BD136 est un transistor basse tension planaire épitaxial complémentaire PNP monté dans un boîtier en plastique. Conçu pour les amplificateurs et les drivers audio en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
Pré-sélectionné du gain de courant DC
Applications
Industrie, Gestion d'alimentation, Audio
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45V, 1.25W, 1.5A, 250 hFE, BD135
Référence: 59-05780
2,200 TND
Prix
BU626 NPN 10A 400V package TO-3
Référence: 59-03255
2,700 TND
Prix
Type Designator: BU626
Material of Transistor: Si
Polarity: NPNPackage: TO3
ULN2802A, Réseau de transistors bipolaires, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP
Référence: 59-08202
0,000 TND
Prix
Réseau de transistors Darlington, DIP18
ULN2803A - Réseau de transistors bipolaires, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP
Référence: 59-05285
3,500 TND
Prix
Réseau de transistors Darlington, DIP18
Transistor bipolaire NPN, 2N3741
Référence: 59-02970
4,800 TND
Prix
Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN
Transitor NPN de puissance 60V 8A, BD201
Référence: 59-02981
6,000 TND
Prix
Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load
IRS2112PBF - Driver de MOSFET et IGBT, High Side Low Side, Alimentation 10V-20V, Sortie 600 mA, PDIP-14
Référence: 59-05304
8,000 TND
Prix
NPN Power Transistors, 2N5239
Référence: 59-01486
15,000 TND
Prix
Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A
