

Référence: 59-00280
Garanties sécurité
Livraison gratuite à partir de 300dt
Ouvert tous les jours de 8:30h à 18h
Référence: 59-03720
Référence: 59-01160
MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm
Référence: 59-07057
Features
Drain-Source Volt (Vds): 60V
Drain-Gate Volt (Vdg): 60V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 12A
Power Dissipation (Ptot): 40W
Type: N-Channel
Référence: 59-04032
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
Référence: 59-05706
Amplificateur opérationnel Précision, alim. Simple, Double, 3 → 32 V, montage Traversant, PDIP 8 broches
Référence: 59-03531
La 1N4001-T est une diode de redressement avec boîtier en plastique moulé. Les diodes de redressement ont une capacité de courant élevée et une faible chute de tension directe.