Semi-conducteurs

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N-channel 80 V, 3.3 m ohm...
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N-channel 80 V, 3.3 m ohm MOSFET,PSMN3R3-80PS

Référence: 59-04032

12,000 TND Prix

MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques

Ethernet ICs 8 KB RAM...
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Ethernet ICs 8 KB RAM MAC&PHY Ethernet Controller, ENC28J60-I/SS

Référence: 59-00942

12,000 TND Prix

Manufacturer: Microchip Product Category: Ethernet ICs RoHS: RoHS Compliant Details Brand: Microchip Technology Product: Ethernet Controllers Supply Voltage - Max: 3.6 V Supply Voltage - Min: 3.1 V Maximum Operating Temperature: + 85 C Package / Case: SSOP-28 Packaging: Tube Ethernet Connection Type: 10/100/1000Base-T Interface: SPI Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT

HFA08TB60 Diode Redresseurs...
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HFA08TB60 Diode Redresseurs 600 Volt 8.0 Amp, HFA08TB60

Référence: 59-01110

12,600 TND Prix

Fabricant: Vishay Catégorie du produit: Redresseurs RoHS: RoHS : conforme Détails Produit: Ultra Fast Recovery Rectifiers Configuration: Single Tension inverse: 600 V Chute de tension directe: 2.1 V at 16 A Délai de reprise: 55 ns Envoi du courant continu: 8 A Courant de surtension max.: 60 A Courant inversé IR: 5 uA Style de montage: Through Hole Package/Boîte: TO-220-2 Conditionnement: Tube Marque: Vishay Semiconductors Température de fonctionnement max.: + 150 C Température de fonctionnement min.: - 55 C Catégorie du produit: HEXFRED Diodes

MOSFET N-Channel 200V 19A...
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MOSFET N-Channel 200V 19A D2PAK-2, B19NB20

Référence: 59-01448

14,000 TND Prix

Fabricant: STMicroelectronics Catégorie du produit: MOSFET RoHS: Non Polarité du transistor: N-Channel Vds - Tension de rupture drain-source: 200 V Vgs - Tension de rupture grille-source: 30 V Id - Courant continu de fuite: 19 A Rds On - Résistance drain-source: 180 mOhms Configuration: Single Température de fonctionnement max.: + 150 C Pd - Dissipation d’énergie : 125 W Style de montage: SMD/SMT Package/Boîte: D2PAK-2 Conditionnement: Tube Marque: STMicroelectronics Mode canal: Enhancement Temps de descente: 10 ns Température de fonctionnement min.: - 60 C Temps de montée: 15 ns Série: STB19N

NPN Power Transistors, 2N5239
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NPN Power Transistors, 2N5239

Référence: 59-01486

15,000 TND Prix

Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A

MOSFET N-Channel 30A 200V,...
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MOSFET N-Channel 30A 200V, IRF250

Référence: 59-01159

16,000 TND Prix

Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface

IGBT 63A 600V N Chanel...
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IGBT 63A 600V N Chanel G30N60C3D

Référence: 59-02979

19,000 TND Prix

Fabricant: Fairchild Semiconductor Catégorie du produit: Transistors IGBT RoHS: RoHS : conforme Détails Configuration: Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 600 V Tension de saturation collecteur-émetteur : 1.5 V Tension de l'émetteur de porte max.: +/- 20 V Courant collecteur continu de 25 C: 63 A Courant de fuite gâchette-émetteur: +/- 100 nA Dissipation de la puissance: 208 W Température de fonctionnement max.: + 150 C Package/Boîte: TO-247-3 Conditionnement: Tube Marque: Fairchild Semiconductor Courant de collecteur continu Ic max.: 63 A Température de fonctionnement min.: - 40 C Style de montage: Through Hole Série: HGTG30N60 Nombre de pièces de l'usine: 150 Raccourcis pour l'article N°: HGTG30N60C3D_NL

CONVERTISSEUR DC/DC 2W 5V...
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CONVERTISSEUR DC/DC 2W 5V TRACOPOWER, TMR4811

Référence: 59-00741

25,000 TND Prix

CONVERTISSEUR DC/DC 2W 5V Type Convertisseur DC/DC: POL isolé Type de sortie de convertisseur DC/DC: Fixe Montage de Convertisseur DC / DC: Traversant Tension, entrée c.c. min.: 36V Tension, entrée c.c. max..: 75V Tension de sortie Nom.: 5V Courant, sortie max.: 400mA Puissance, sortie max..: 2W Profondeur: 21.8mm Largeur: 9.2mm Hauteur: 11.1mm Courant, sortie: 400mA Nombre de canaux de sortie: 1 Puissance: 2W Tension, alimentation: 48V Tension, entrée max..: 75VDC Tension, entrée min.: 36VDC Tension, isolation: 1kV Tension, sortie: 5V

PIC32MX575F512H-80/PT
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PIC32MX575F512H-80/PT

Référence: 59-04101

27,000 TND Prix

Catégorie de produit : Microcontrôleurs
Fabricant :Microchip
TechnologyDescription :MCU MIPS32R M4K ? 32-Bit -40°C ~ 85°C (TA) FLASH 512KB (512K x 8) PIC® 32MX 80MHz 64-TQFP (10x10)
Paquet : 64
-TQFPQuantité : 128 PCS
État sans plomb / État RoHS : Sans plomb / Conformité RoHS

MOSFET N-Channel 11A 500V,...
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MOSFET N-Channel 11A 500V, IRF450

Référence: 59-01160

30,000 TND Prix

MOSFET TRANSISTOR Polarité transistor: Canal N Courant de drain Id: 12A Tension Vds max..: 500V Résistance Rds(on): 400mohm