Référence: 59-09069
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Catégorie du produit: MOSFET
Technologie: Si
Style de montage: Traversant
Package/Boîte: TO-220FP-3
Polarité du transistor: N-Channel
Nombre de canaux: 1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source: 600 V
Id - Courant continu de fuite: 10 A
Rds On - Résistance drain-source: 750 mOhms
Hauteur: 15 mm
Longueur: 10 mm
Série: 2SK3569
Type de transistor: 1 N-Channel
Largeur: 4.5 mm
Poids de l''unité: 2 g
Référence: 59-07056
Features
Drain-Source Volt (Vds): 400V
Drain-Gate Volt (Vdg): 400V
Gate-Source Volt (Vgs): 20V
Drain Current (Id): 5.5A
Power Dissipation (Ptot): 75W
Type: N-Channel
Référence: 59-01159
Features • 30A, 200V • rDS(ON) = 0.085Ω • Single Pulse Avalanche Energy Rated • SOA is Power Dissipation Limited • Nanosecond Switching Speeds • Linear Transfer Characteristics • High Input Impedance • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface
Référence: 59-04032
MOSFET canal N de niveau standard dans le boîtier TO-220 qualifié à 175C. Ce produit est conçu et qualifié pour une utilisation dans une large gamme d'équipements industriels, de communication et domestiques
Référence: 59-04139